DNA芯片分析


轉(zhuǎn)錄組研究使用惡臭假單胞菌芯片;該芯片包含5539個(gè)基因特異性寡核苷酸(50聚體),一式兩份點(diǎn)樣到γ-氨基硅烷處理的25×75 mm顯微鏡載玻片上,并通過(guò)紫外線和加熱固定。將惡臭假單胞菌DOT-T1E、T1E-18和T1E-PS28在LB培養(yǎng)基中過(guò)夜培養(yǎng),用于接種含或不含300μM吲哚的新鮮培養(yǎng)基;培養(yǎng)物在30°C孵育至660 nm處濁度達(dá)到0.5-0.6(指數(shù)期),收集細(xì)胞并立即進(jìn)行RNA提取。使用TRI試劑(Trizol)/BCP(1-溴-3-氯丙烷)法分離RNA,隨后制備熒光標(biāo)記的cDNA;雜交條件和數(shù)據(jù)收集按先前描述進(jìn)行。采用LOWESS強(qiáng)度依賴性歸一化方法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行歸一化,使用Almazen系統(tǒng)軟件進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析;采用學(xué)生t檢驗(yàn)計(jì)算P值,當(dāng)倍數(shù)變化≥2且P值≤0.05時(shí),認(rèn)為基因差異表達(dá)。芯片數(shù)據(jù)已存入Array Express數(shù)據(jù)庫(kù)(http://www.ebi.ac.uk/arrayexpress),登錄號(hào)為E-MEXP-3819、3822、3823和3824。


流式細(xì)胞術(shù)HPF熒光實(shí)驗(yàn)


使用5μM熒光報(bào)告染料HPF,PMT(光電倍增管)電壓設(shè)置如下:E00(FSC)、360(SSC)和825(FL1);使用FACSDiva 6.0軟件處理和分析流式數(shù)據(jù)。所有實(shí)驗(yàn)中,細(xì)胞過(guò)夜培養(yǎng)后以1:1000稀釋到25 mL含5μM HPF的LB培養(yǎng)基中,燒瓶在避光搖床中30°C、200轉(zhuǎn)/分鐘孵育;在指數(shù)生長(zhǎng)期早期添加抗生素(詳見結(jié)果部分),在添加藥物前(0時(shí)刻)和3小時(shí)后取樣;在這些時(shí)間點(diǎn)收集約10^7個(gè)細(xì)胞,洗滌一次并重懸于過(guò)濾后的PBS(pH 7.2)中,然后進(jìn)行熒光測(cè)量。


Bioscreen生長(zhǎng)曲線分析


從添加10μg/mL利福平的LB平板上挑取新鮮培養(yǎng)的惡臭假單胞菌DOT-T1E和DOT-T1E-18單菌落,在液體LB培養(yǎng)基中30°C過(guò)夜培養(yǎng);將培養(yǎng)物重懸于15 mL液體LB培養(yǎng)基中,調(diào)整至660 nm處吸光度為0.1。在微孔板的每個(gè)孔中加入190μL液體LB培養(yǎng)基或170μL大腸桿菌LK111過(guò)濾上清液(均添加200μg/mL氨芐西林),以及10μL重懸培養(yǎng)物;對(duì)于大腸桿菌上清液,添加20μL 10×LB培養(yǎng)基。陽(yáng)性對(duì)照孔為接種DOT-T1E菌株的液體LB培養(yǎng)基,陰性對(duì)照孔為不含細(xì)胞的培養(yǎng)基。使用FP-1100-C型Bioscreen C MBR分析儀系統(tǒng)在30°C連續(xù)振蕩條件下監(jiān)測(cè)生長(zhǎng);在24小時(shí)內(nèi),每60分鐘使用420-580 nm邊帶濾光片測(cè)量濁度。每個(gè)菌株對(duì)每種測(cè)試化合物至少進(jìn)行三次實(shí)驗(yàn),每次實(shí)驗(yàn)后目視檢查平板以驗(yàn)證結(jié)果。


實(shí)時(shí)定量聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)(qRT-PCR)


RNA提取按先前描述進(jìn)行,實(shí)時(shí)PCR擴(kuò)增在MyiQ2系統(tǒng)上進(jìn)行,結(jié)合iQ5光學(xué)系統(tǒng)軟件(版本2.1.97.1001)。每個(gè)25μL反應(yīng)混合物包含12.5μL iQ SYBR綠色超混合液[100 mM KCl、40 mM Tris-HCl(pH 8.4)、0.4μM每種dNTP、iTaq DNA聚合酶(50 U/mL)、6 mM MgCl2、SYBR綠色I(xiàn)、20 nM熒光素和穩(wěn)定劑]、0.4μM每種引物和2μL模板cDNA(稀釋10倍或1000倍)。熱循環(huán)條件如下:95°C 10分鐘(1個(gè)循環(huán)),然后95°C 15秒、61.1°C或61.7°C(分別用于吲哚和氨芐西林實(shí)驗(yàn))30秒、72°C 20秒(40個(gè)循環(huán)),每個(gè)循環(huán)進(jìn)行一次熒光測(cè)量(按制造商建議);最后進(jìn)行72°C 1分鐘的延伸循環(huán)。PCR產(chǎn)物長(zhǎng)度在132-350 bp之間;熔解曲線分析通過(guò)將PCR混合物從55°C逐步加熱至95°C(每10秒升溫0.5°C,共80個(gè)循環(huán))進(jìn)行?;虻南鄬?duì)表達(dá)水平以16S rRNA為內(nèi)參基因進(jìn)行歸一化,結(jié)果采用比較閾值循環(huán)(ΔΔCt)法分析。


結(jié)果


利用熒光染料分析惡臭假單胞菌對(duì)抗生素的響應(yīng)


在惡臭假單胞菌DOT-T1E菌株中,某些殺菌化合物(氨芐西林、諾氟沙星)和抑菌化合物(氯霉素、四環(huán)素、紅霉素)的主要排出機(jī)制是通過(guò)RND外排泵實(shí)現(xiàn)的。本研究監(jiān)測(cè)了野生型惡臭假單胞菌DOT-T1E及其ttgABC敲除突變體(T1E18)、ttgGHI敲除突變體(T1E-PS28)和雙突變體ttgABC/ttgGHI(T1E-PS32)(表1)在暴露于氨芐西林、諾氟沙星(殺菌化合物)以及氯霉素、紅霉素、四環(huán)素(抑菌抗生素)后的細(xì)胞生長(zhǎng)停滯、細(xì)胞死亡和3'-對(duì)羥基苯基熒光素(HPF)熒光淬滅情況。


首先,我們測(cè)定了四種菌株對(duì)上述五種抗生素的最低抑菌濃度(MIC)。結(jié)果顯示,T1E-PS28的MIC與野生型DOT-T1E一致(表2),而兩種TtgABC缺陷菌株(T1E-18和T1E-PS32)對(duì)抗生素的敏感性顯著提高(表2)。對(duì)于抑菌化合物,300μg/mL氯霉素、400μg/mL紅霉素或8μg/mL四環(huán)素可抑制野生型菌株生長(zhǎng),但在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中(3小時(shí))細(xì)胞存活率保持100%(氯霉素的結(jié)果見圖1A);對(duì)于TtgABC突變體,70μg/mL氯霉素即可抑制生長(zhǎng),而雙突變體在更低濃度下生長(zhǎng)就會(huì)受到抑制(表2),但實(shí)驗(yàn)過(guò)程中細(xì)胞仍存活。


對(duì)于殺菌化合物,這類抗生素首先抑制細(xì)胞生長(zhǎng),3小時(shí)后由于細(xì)胞裂解,存活細(xì)胞數(shù)量減少兩個(gè)數(shù)量級(jí)。親本菌株DOT-T1E和PS28菌株在625μg/mL氨芐西林或2μg/mL諾氟沙星作用下表現(xiàn)出上述效應(yīng);T1E-18和T1E-PS32在更低濃度的這兩種殺菌化合物作用下即可停止生長(zhǎng),隨后發(fā)生細(xì)胞死亡。


吲哚是TtgV的效應(yīng)物,而TtgV是調(diào)控ttgGHI表達(dá)的抑制子。我們推測(cè),由于TtgGHI泵參與抗生素排出,吲哚存在時(shí)惡臭假單胞菌DOT-T1E的抗生素耐藥性可能增強(qiáng)。我們?cè)谟羞胚岽嬖诘臈l件下,對(duì)親本菌株及ttgABC、ttgGHI和ttgABC/ttgGHI突變體重復(fù)了MIC實(shí)驗(yàn)(見表2)。結(jié)果顯示,DOT-T1E和T1E-PS28(ttgGHI突變體)在有無(wú)吲哚存在時(shí)的抗生素耐藥模式相似,無(wú)顯著差異(表2);T1E-PS32雙突變體在有無(wú)吲哚存在時(shí)均比親本菌株對(duì)抗生素的耐藥性更低;而T1E-18菌株在吲哚存在時(shí)表現(xiàn)出更強(qiáng)的抗生素耐藥性,這表明在缺乏TtgABC的情況下,吲哚依賴性TtgGHI誘導(dǎo)對(duì)耐藥性具有重要作用。


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